武汉新芯三维集成技术研发成功 龙头企业受益

　　12月3日，武汉新芯集成电路制造有限公司(下称“武汉新芯”)对外宣布称，基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。

　　2016年，国家集成电路产业投资基金(大基金)领衔其他投资方出资240亿美金，投产武汉新芯项目，布局3DNAND，设计产能达到30万片/月。芯片国产化是国家战略，武汉新芯项目落地充分彰显国家要将这一战略实施到底的决心，利好国内半导体全产业链。

　　据了解，三维集成技术是武汉新芯继NOR Flash、MCU之外的第三大技术平台。武汉新芯的三维集成技术居于国际先进、国内领先水平，已积累了6年的大规模量产经验，能为客户提供工艺先武汉新芯进、设计灵活的晶圆级集成代工方案。

　　伴随大数据、云存储、物联网等新兴产业发展，未来需求量将进一步增加，巨大需求支持本地存储芯片产业崛起。芯片国产化进程已上升为国家重要的发展规划，国内核心芯片尤其是存储类芯片自给率较低，国家推动核心芯片国产替代势在必行。

　　在政策以及技术的支持下，国产芯片龙头将受益，A股市场相关上市公司中中科曙光(603019.SH)、紫光国微(002049.SZ)、北方华创(002371.SZ)以及长川科技(300604.SZ)等值得关注。

（文章来源：第一财经）